--《》年论文

【摘要】：本文采用注硅的方法加固SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料,分别用加固和未加固的材料制作了Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管并进行了10kevX射线总剂量辐照实验。结果表明加固工艺能有效提高SIMOX材料的抗总剂量辐射能力,同时也表明Pseudo-MOS方法能有效的替代实际的MOS晶体管对材料的总剂量辐射效应进行表征。

下载App查看全文

下载全文更多同类文献个人查重>>智能排版>>

CAJ全文下载

(如何获取全文？欢迎：购买知网充值卡、在线充值、在线咨询)

CAJViewer阅读器支持CAJ、PDF文件格式

	【相似文献】
	【相似文献】

中国期刊全文数据库

前20条

1	温梦全;SOI/SIMOX-CMOS器件的研究[J];北京航空航天大学学报;2001年01期
2	何平,刘理天,田立林,李志坚,董业明,陈猛,王曦;SIMOX硅片埋氧层垂直方向热导率的测量[J];半导体学报;2003年10期
3	王效平,苏德海;SOI技术进入工业开发时代[J];微处理机;1996年01期
4	林成鲁;SOI技术的新进展[J];功能材料与器件学报;2001年01期
5	杨慧;张正选;张恩霞;;Pseudo-MOS方法表征SIMOX SOI材料总剂量辐照效应[J];功能材料与器件学报;2007年03期
6	伍志刚,凌荣堂;SOI技术——21世纪的硅集成技术[J];微电子学;2001年01期
7	郑望,陈猛,陈静,林梓鑫,王曦;低剂量SIMOX圆片线缺陷和针孔的研究[J];功能材料与器件学报;2001年04期
8	杨慧;张恩霞;张正选;;Si离子注入对SIMOX SOI材料抗总剂量辐照性能的影响(英文)[J];半导体学报;2007年03期
9	连军,海潮和,韩郑生,赵洪辰,杨荣;N+多晶硅栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件与电路的研究[J];电子器件;2004年01期
10	李映雪,张兴,黄如,王阳元,罗晏;SIMOX材料顶层硅膜中残余氧的行为[J];半导体学报;2001年08期
11	施左宇,林成鲁,朱文化,邹世昌,李金华;退火温度对SOI材料与器件性能的影响[J];固体电子学研究与进展;1992年03期
12	郝跃,朱建纲,郭林,张正幡;SOINMOSFET沟道热载流子的应力损伤[J];半导体学报;2001年04期
13	俞文杰;张正选;张恩霞;钱聪;贺威;田浩;陈明;王茹;;部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐射效应的最恶劣偏置状态(英文)[J];功能材料与器件学报;2007年06期
14	樊瑞新;SOI结构制备工艺进展[J];材料科学与工程;2000年02期
15	林青,刘相华,朱鸣,谢欣云,林成鲁;N~+、O~+共注入形成SOI绝缘埋层的计算机模拟[J];核技术;2003年03期
16	谭利文,王俊,王启元,郁元桓,刘忠立,邓惠芳,王建华,林兰英;热退火γ-Al_2O_3/Si异质结构薄膜质量改进[J];半导体学报;2002年11期
17	夏立生;抓住机遇发展SOI技术[J];微电子学;1993年02期
18	李金华,林成鲁,林梓鑫,薛才广,邹世昌;高温氢气氛对SIMOX/SOI结构的损伤[J];半导体学报;1993年01期
19	陶建中,白水;SOI前途如何[J];微电子技术;1994年03期
20	一凡;三菱电机公司开发SIMOX门阵列[J];微电子技术;1994年06期

中国重要会议论文全文数据库

前10条

1	毕大炜;张正选;张帅;俞文杰;陈明;;用Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管表征SIMOX SOI材料的抗总剂量辐射能力[A];第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集[C];2009年
2	贺威;张正选;田浩;杨惠;俞文杰;王茹;陈明;王曦;;注硅对SIMOX材料性能影响的研究[A];第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（4）[C];2007年
3	张兴;王阳元;;低压低功耗集成电路:SOI技术的新机遇[A];信息科学与微电子技术:中国科协第三届青年学术年会论文集[C];1998年
4	周乐文;窦文华;安蔚钊;;SOI技术及其抗辐照能力研究[A];第十五届计算机工程与工艺年会暨第一届微处理器技术论坛论文集（A辑）[C];2011年
5	冷月华;贾连希;胡挺;杨林;杨华军;;亚微米SOI光波导的模式及偏振特性分析[A];2009年先进光学技术及其应用研讨会论文集（上册）[C];2009年
6	张鹏;章晓文;李斌;陈平;;SDB/SOI双极型晶体管可靠性评价[A];第十一届全国可靠性物理学术讨论会论文集[C];2005年
7	郭宇锋;王志功;;阶梯厚度漂移区SOI横向高压器件[A];第十届中国科协年会论文集（四）[C];2008年
8	郭宇锋;蹇彤;徐跃;王志功;;一种具有阶梯漂移区的新型SOI横向耐压结构[A];2008中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会论文摘要集[C];2008年
9	王茹;张正选;俞文杰;贺威;田浩;陈明;;总剂量辐射下的SOI晶体管中的陷阱电荷分布[A];第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（2）[C];2007年
10	罗晏;梁宏;马芙蓉;李晓明;陈如意;夏稷;卢志恒;李映雪;张兴;王阳元;;SIMOX材料制作及其结构、电特性与杂质分析[A];中国电子学会第七届学术年会论文集[C];2001年

中国博士学位论文全文数据库

前10条

1	吴丽娟;电荷型高压SOI器件模型与新结构[D];电子科技大学;2011年
2	胡盛东;SOI横向高压器件纵向耐压理论与新结构[D];电子科技大学;2010年
3	肖志强;SOI器件电离总剂量辐射特性研究[D];电子科技大学;2011年
4	王湘;低剂量超薄SIMOX圆片制备技术的应用研究[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2003年
5	董业民;图形化SOI技术研究[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2004年
6	金波;SOI基锗硅弛豫研究及绝缘体上应变硅材料制备[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2005年
7	张恩霞;离子注入SOI材料的总剂量辐照效应研究[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2006年
8	郭宇锋;SOI横向高压器件耐压模型和新器件结构研究[D];电子科技大学;2005年
9	孙佳胤;GaN外延生长中的SOI柔性衬底技术研究[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2007年
10	陈静;水等离子体离子注入形成SOI结构材料的研究[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2002年

中国硕士学位论文全文数据库

前10条

1	李逢祥;SOI制备中氧离子注入缺陷的控制与研究[D];复旦大学;2011年
2	李信;应变SOI材料物理与工艺技术研究[D];西安电子科技大学;2010年
3	唐海马;注氧隔离SOI材料的抗总剂量辐照加固[D];济南大学;2010年
4	杨慧;利用Pseudo-MOS方法研究改性SIMOX SOI材料的总剂量辐照效应[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2007年
5	袁泉;基于自隔离技术的可集成SOI高压（＞600V）器件研究[D];电子科技大学;2009年
6	闫斌;复合埋层SOI高压器件的数值仿真与实验研究[D];电子科技大学;2009年
7	吴尚德;强流氧离子注入机高温旋转扫描靶的研究[D];湘潭大学;2007年
8	杨帆;400V薄层SOI高压器件研究[D];电子科技大学;2010年
9	黄玮;纳米SOI MOSFET器件性能仿真和新器件结构研究[D];江南大学;2011年
10	魏雪观;SOI横向超结器件耐压理论研究[D];南京邮电大学;2012年

中国重要报纸全文数据库

前2条

1	李大庆实习生李绍富;我们终于有了自己的SOI[N];科技日报;2004年
2	;“863”超大规模集成电路配套材料重大专项进展[N];中国电子报;2004年

	快捷付款方式		订购知网充值卡	订购热线	帮助中心
	微信支付支付宝银行卡	知网卡在线购卡更多>>	免费送卡上门银行汇款购卡邮局汇款购卡	400-819-9993 010-62982499 010-62783978	常见问题在线咨询阅读器下载	充值中心知网卡新手指南