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光电耦合器辐射效应研究

冯展祖  杨生胜  王云飞  高欣  王健  
【摘要】:选取了一种典型的光电耦合器4n25进行了1MeV高能电子及Co60γ辐照试验,获得了1MeV电子及Co60γ辐照后光电耦合器4n25 CTR参数的退化与粒子的通量的关系,通过辐射对器件及材料作用过程的分析,探讨了光电耦合器位移损伤效应及电离辐射效应。

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