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硅条探测器及其读出芯片SVX饱和的研究

L.Bagby  M.Johnson  R.Lipton  顾维新  
【摘要】:D0探测器是Fermi实验室Tevetron上进行P-P对擅实验的探测器之一,它在升级改进中使用了交流耦合的硅条探测器,坏的耦合电容使偏置电压直接加到SVX读出的输入端。我们测量了坏的耦合电容对SVX 读出芯片的影响。这些试验表明了坏的耦合电容不仅使相应的道饱和,而且与其相邻的道也受到影响。本文讨论了饱和效应和可能的补救方法。

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1 L.Bagby;M.Johnson;R.Lipton;顾维新;;硅条探测器及其读出芯片SVX饱和的研究[A];第8届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集(一)[C];1996年
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