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一套低本底反康普顿高纯锗γ谱仪研制过程中若干技术问题的解决方法

韩峰  师国彬  魏玉锦  朱文凯  
【摘要】:本文重点介绍了一套反康普顿低本底高纯锗(HPGe)γ谱仪研制过程中,针对遇到了一些技术问题所采取的解决方法和措施。主要包括屏蔽室的加工改造、主探头升降装置的设计、工作稳定性的改进、反符合系统的调试及谱仪刻度和样品测量等。谱仪主要技术指标为:能量分辨率 FWHM=1.77keV(1332.5keV), 峰康比694:1(662keV),康普顿积分抑制系数3.8(~(137)Cs 50~595keV),相对探测效率38.3%(1332.5keV), 系统本底0.39s~(-1)(50~2014keV),连续48h 运行,零点稳定,1332.5keV 增益漂移小于0.07%。

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