剩余极化巨大且无疲劳的Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)纳米晶铁电薄膜
【摘要】:采用sol-gel工艺在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备了Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)(BNdT)薄膜,经750℃烧结的薄膜晶粒直径为50-100nm,取向随机;在晶粒连接处存在较多非晶态组织的‘微孔’,有些微孔中还包含直径仅几纳米的微晶粒。以Pt为上电极的BNdT薄膜电容器显示优异的铁电特性,剩余极化和矫顽场值分别为41-43μC/cm~2和70-84 kV/cm,在1MHz工作频率下经6×10~(11)次极化开关后仍未出现明显疲劳。
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