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Th(Ⅳ)在介孔二氧化硅MCM-48上的吸附研究

郭波龙  王豫珑  陈愫文  
【摘要】:正纳米材料具有高的表面活性、高表面能和高的比表面积,同时其表面原子配位不足,具有较强的吸附性。本文采用纳米材料作为吸附剂,研究其对Th(Ⅳ)的吸附性能。本文首先采用水热合成法制备得到介孔二氧化硅材料MCM-48,并对其进行了充分表征,其比表面积由N_2-BET分析仪测得为841m~2/g,其孔径大小在2-3nm之间。再通过静态法研究

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