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Zn_(0.98)Nd_(0.02)O薄膜的结构与室温导电特性

文军  
【摘要】:通过射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备了Zn0.98Nd0.02O薄膜。薄膜的结构和表面形貌通过XRD分析和AFM观测,表明Nd掺杂没有改变ZnO纤锌矿结构,Zn0.98Nd0.02O薄膜为沿(100)、(101)方向生长的纳米多晶结构,表面形貌粗糙。薄膜的室温I-V曲线表明了Zn0.98Nd0.02O薄膜的非线性导电特性。其非线性导电特性源于,膜中的载流子受外电场激发而进入导带导电,以及Nd掺杂导致了薄膜中产生的间隙锌缺陷态电离产生的电子导电。在光辐照作用下,增强了Zn0.98Nd0.02O薄膜的导电能力。

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