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BaSiO_3掺杂对BT基电容器陶瓷性能和结构的影响

黄新友  高春华  崔永臻  陈志刚  
【摘要】:采用常规电容器陶瓷固相法,借助XRD、SEM等测试分析方法,系统研究了BaSiO3掺杂对BaTiO3基电容器陶瓷烧结温度及介电性能的影响。结果表明:掺杂BaSiO3能够有效改善瓷体的烧结和显微结构。当BaSiO3掺杂量为3mol%时,烧结温度比未掺杂的样品降低了40℃,εr为1792,稍高于未掺杂样品,tanδ为1%,比未掺杂样品低了7.24%。SEM照片显示,BaSiO3掺杂能促进BT晶粒均匀生长,并抑制陶瓷的再结晶现象,使陶瓷结构致密,气孔率小。XRD分析可知,在材料中有少量SiO2杂相生成,但对BT晶格参数无明显影响。

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