--《》年论文

【摘要】：正We fabricated heterojunctions consisting of a single n-type ZnO nanowire and a p-type GaN film. Photovoltaic(PV) effects in these p-n junctions were systematically investigated via illumination with either a UV laser or one sun source at different temperatures and incident light powers.The PV device exhibited a short-circuit current of～10~3mA/cm~2,open-circuit voltages ranging from 2 to 2.7V,and a maximum output power reaching 80 nW.Two applications of these p-n junctions are demonstrated:single CdS nanobelt photodetectors powered by the PV device and light e-mitting diodes with UV electroluminescence.

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前20条

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中国重要会议论文全文数据库

前10条

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4	;Interface Polymers for Full Printing Polymer Light Emitting Diodes[A];全国第八届有机固体电子过程暨华人有机光电功能材料学术讨论会摘要集[C];2010年
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前1条

1	通文;中兴4G终端全面亮相CES[N];通信产业报;2011年

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