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自组织界面聚合聚吡咯膜性能研究

杨庆浩  林俊  王晓刚  
【摘要】:采用界面聚合法制备了聚吡咯功能膜,以红外、SEM、循环伏安等方法研究了不同反应条件和反应物对功能膜结构与性能的影响,并以之制造赝电容电极,考察了其电容特性。结果表明,以FeCl_3为氧化剂,吐温80为表面活性剂,对甲苯磺酸(TSA)为掺杂剂,0℃下制备的聚吡咯功能膜具有自组织的三维网状结构,氧化还原赝电容特性较佳,比电容可达261F/g。

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