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电子束蒸发二氧化硅薄膜的制备及其驻极体特性研究

郝天亮  陈钢进  肖慧明  
【摘要】:SiO_2薄膜驻极体元器件由于制作工艺可与集成电路平面工艺及微机械加工技术兼容,实现器件的微型化、集成化、机敏化和全自动化生产,而备受人们关注。采用电子束蒸发技术在ITO玻璃片上制备得到了SiO_2薄膜,研究了生长速率、衬底温度、退火等工艺条件对薄膜性能的影响。结果表明,合理控制工艺条件可获得表面光滑、致密的SiO_2薄膜。对所获薄膜的驻极体性能研究显示,等离子体作用下的退火处理可提高初始驻极体电位值,但不能提高其稳定性。与PECVD方法获得的SiO_2薄膜扫描探针显微镜观察结果对比发现,其原因可能与材料的表面粗糙度有关。

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