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新型磁流变阻尼器的磁路设计及磁饱和分析

涂奉臣  周滨  周娟  冯学斌  
【摘要】:针对一种新型磁流变阻尼器,利用磁路欧姆定律对其进行磁路设计,得到了磁流变阻尼器的具体磁路参数。采用有限元方法对设计的磁流变阻尼器进行磁路饱和分析,结果认为,在整个磁路当中,活塞中心区域最先达到磁饱和,此时阻尼器的耗能能力达到最大值。在设计此种阻尼器结构时,为了避免磁路过早饱和,需减小活塞中心的磁阻。

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