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离子束溅射自组装生长Ge/Si量子点浸润层的研究

张学贵  王茺  杨杰  鲁植全  潘红星  李亮  杨宇  
【摘要】:采用离子束溅射技术,通过控制沉积量、温度等参数,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品,利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征,并研究浸润层随生长参数的变化情况。结果表明,在离子束溅射方法生长Ge/Si量子点的过程中,浸润层的厚度并非理论上的4~6ML,而是约为8~11ML;而且低温下生长的浸润层厚度要大于高温下生长的浸润层厚度。当Ge从二维生长转变为三维生长后,在相同的Ge沉积量条件下,高温生长的量子点密度要远大于低温生长的密度,且高温生长量子点的尺寸要小于低温生长的量子点尺寸。

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