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磁控溅射生长Ge/Si纳米岛的AFM和Raman光谱研究

鲁植全  王茺  杨杰  张学贵  潘红星  李亮  杨宇  
【摘要】:采用AFM和Raman光谱对磁控溅射生长的一系列Ge/Si(100)纳米岛样品进行了研究,具体分析了Ge的沉积量、Ge的生长温度及Si缓冲层的生长温度等对Ge岛的影响。结果表明,在我们研究的范围内,随着沉积量增加Ge岛的尺寸增大、分布变宽、密度减小;随着Ge生长温度升高Ge岛尺寸增大、分布变宽、密度减小;随缓冲层生长温度的升高Ge岛尺寸减小、分布变窄、密度增大。结合AFM和Raman光谱对出现这种变化的原因做了分析。

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