锥面靶溅射中薄膜的沉积速率和均匀性的研究
【摘要】:为溅射沉积计算机芯片铜导线设计了一种新型锥面靶。利用低气压下溅射沉积过程与热辐射过程的相似性,引入热辐射学中的角系数概念建立了一个角系数模型。随后,利用该模型模拟锥面靶与平面靶溅射沉积中对300mm基片上薄膜的沉积速率和均匀性状况。模拟结果表明,对于相同底部半径的锥面靶和平面靶,用锥面靶沉积的薄膜具有较好的均匀性,但薄膜的沉积速率要小于平面靶;与锥面靶相对应的薄膜沉积速率随锥面倾角的增大而增大,但薄膜的均匀性却随之下降。
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