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沉积温度对直流等离子体CVD法在硬质合金表面制备金刚石薄膜的影响

尹龙承  黄海亮  何宪阳  王丹  彭鸿雁  陈玉强  
【摘要】:直流等离子体化学气相沉积(DC-PCVD)法能够降低金刚石膜的生产成本,因此是一项非常有前景的工业合成金刚石膜技术。采用直流等离子体化学气相沉积法,以CH_4和H_2为反应气体,在硬质合金YG6基体上沉积了金刚石薄膜。采用X射线衍射分析仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱(Ra-man)对样品的生长织构、表面形貌、金刚石膜质量进行了表征。实验结果表明,随着沉积温度提高,金刚石膜晶粒尺寸增大,晶界含量减少,薄膜质量提高。金刚石膜中存在压应力,且随沉积温度提高而增大。Rock-well硬度压痕法表明840℃条件下沉积的金刚石膜与硬质合金之间的结合力良好。

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