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4H-SiC混合PiN/Schottky二极管的一种复合终端结构的研究

黄健华  吕红亮  张玉明  张义门  汤晓燕  陈丰平  宋庆文  
【摘要】:碳化硅以其优越的材料性能在功率器件领域得到广泛的研究和应用,同时混合PiN/Schottky二极管(MPS)是一种理想的整流器件。针对4H-SiCMPS器件设计并优化了一种带有偏移场板的场限环和结终端扩展的复合型终端结构,分析表明该终端结构能够获得比偏移场板的场限环结构更高的击穿电压,同时能有效缓解单个结终端扩展结构的击穿电压在低掺杂浓度区的下降程度。

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