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Ca_2Si电子结构和光学性质的研究

杨创华  谢泉  赵凤娟  陈茜  肖清泉  
【摘要】:采用第一性原理赝势平面波方法系统的计算了 Ca_2Si 电子结构和光学性质,其中包括能带、态密度、介电函数、复折射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数.计算结果显示 Ca_2Si 是典型的半导体,正交相结构有一个直接的带隙,并且光学性质显示出各向异性. Ca_2Si 立方相的计算结果也显示是直接带隙半导体,并且有很高的振子强度.从能带和态密度的计算结果判断出它们的光学性质主要由 Si 的3p 态电子向 Ca 的3d 态的带间跃迁所决定.

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