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氮化硼薄膜在退火相变中的应力研究

张晓康  邓金祥  王瑶  陈光华  郝伟  侯碧辉  贺德衍  
【摘要】:利用射频溅射系统在 p 型 Si(100)衬底上制备氮化硼薄膜.对其进行600~1000℃的常压下 N_2保护退火.通过傅立叶变换红外谱(FTIR)分析,发现 hBN-cBN-hBN 的可逆相变.通过不同温度退火后立方相横光学振动模式峰位的移动,计算了氮化硼薄膜中残余应力的变化.发现沉积后退火很好地解决了高立方相氮化硼薄膜应力释放的问题,可提高立方氮化硼薄膜在硅衬底上的粘附性.并且探索性地讨论在退火过程中 c-BN 成核、生长与薄膜中应力变化的关系.

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