LiF-NaF-KF熔盐中石墨基体上电沉积TiB_2镀层的研究

【摘要】：通过直流电沉积技术在 LiF-NaF-KF 熔盐体系中,以 K_2TiF_6和 KBF_4作为活性物质在石墨基体上制备了晶粒细小、裂纹少、孔隙率低、表面平整和基体结合良好的 TiB_2镀层．研究表明,当电流密度为0．4～0．8 A/cm~2,能够得到 TiB_2镀层．随着电流密度的增加,浓差极化作用逐渐显著,带来的负面影响是镀层边角效应也逐渐明显,这使得厚度均匀性下降；但过电位的增加又会导致镀层晶粒变得更为细小,这就削弱甚至足以弥补浓差极化对镀层表面平整度造成的负面影响,结果就是平整度随电流密度增加而得以改善．综合考虑,适宜的电流密度应控制在0．6A/cm~s,在该条件下,涂层由相对纯净的 TiB_2组成且表现出强的(110)面择优取向．涂层横截面上硬度分布范围为2986～3056HV_(0．1),表明涂层比较致密均匀．

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14	沈,王银平,黄清安,王龙彪,吴俊;医用生物材料的研制与电沉积技术[J];电镀与精饰;2001年02期
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16	章桥新;张佳明;杨丽宁;;电沉积微纳米晶铁的形貌与生长机理研究[J];电化学;2007年03期
17	王延来;尚升;聂洪波;倪沛然;果世驹;;电沉积和硒化制备CuInSe_2薄膜[J];北京科技大学学报;2009年03期
18	常立民;刘伟;段小月;;超声波对电沉积Ni-Al_2O_3复合镀层耐蚀性的影响[J];腐蚀科学与防护技术;2010年06期
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9	邱日;铜基体微纳米金属枝晶的制备、润湿性及其防腐性能的研究[D];中国科学院研究生院（海洋研究所）;2012年
10	朱园园;有机小分子半导体薄膜的制备与光电性质[D];上海交通大学;2011年

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前10条

1	陈科立;半导体材料的电沉积制备及其光电性能研究[D];浙江大学;2011年
2	孙振满;[EminBF_4]中银的电沉积及在SCN~-检测中的应用[D];河北师范大学;2010年
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4	刘文艳;激光熔覆自生二硼化钛陶瓷涂层的研究[D];大连理工大学;2002年
5	李正元;电沉积La-Mg-Ni合金研究[D];沈阳工业大学;2012年
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前7条

1	李有观;二硼化钛石墨阴极降低铝能耗[N];中国有色金属报;2002年
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4	木子;国外硬质合金技术的发展特点[N];中国有色金属报;2004年
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6	苏鸿英;世界电解铝工业现状、未来和挑战[N];世界金属导报;2004年
7	记者相恒波;珲春正兴磨料有限公司投产[N];延边日报;2010年

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