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射频反应溅射中N_2分量对TiN薄膜性质的影响

刘逆霜  方国家  王明军  艾磊  赵兴中  
【摘要】:用射频反应溅射的方法制备了 TiN 薄膜,其晶体结构与电阻率都与溅射气氛中 N_2分量有直接关系.随着 N_2分量由5%增加到50%,薄膜先是呈现(111) 的择优取向,后是呈现(200)的取向,曩后没有衍射峰出现,结构趋于无定型。于此同时,电阻率也由接近金属的良好导电性变为半导体的导电性。

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