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钽基体上铜薄膜微观结构的分子动力学模拟(英文)

程东  
【摘要】:运用分子动力方法模拟了铜薄膜在钽(100)及(111)基体上沉积过程.结果表明沉积过程中铜薄膜的晶格位向取决于钽基体的晶格位向.在钽(100)面上,铜薄膜在不同的温度下分别沿(111)或(110)面生长, 所形成的晶界与位错沿着薄膜的生长方向发展,薄膜表面的粗糙度与沉积温度有关,低温时表面粗糙度较大。而在钽(100)面上,铜薄膜的外延生长面为(100)面,位错沿(111)面分布,并只存在于界面附近,在铜薄膜的内部仅有少量的点缺陷,薄膜表面粗糙度较小并与沉积温度无关.

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