Si含量对反应烧结SiC陶瓷热电性能的影响

【摘要】：采用可控溶渗反应烧结法制备了致密 SiC 陶瓷,研究了不同 Si 含量对反应烧结 SiC 陶瓷热电性能的影响。经研究发现,反应烧结 SiC 陶瓷中 Si 的存在使 SiC 陶瓷的电阻率急剧下降,大大改善了 SiC 陶瓷的电学性能；同时 Si 也改变了 SiC 陶瓷塞贝克系数随温度的变化趋势,即没有添加 Si 元素的 SiC 陶瓷的塞贝克系数随温度的升高逐渐增大,而添加 Si 元素的 SiC 陶瓷的塞贝克系数随温度的升高逐渐减小：总的来看, 随着 Si 含量的增加,SiC 陶瓷的塞贝克系数和电导率不断增大,因此 SiC 陶瓷的功率因子不断提高,而且随着温度的升高,Si 含量对 SiC 陶瓷热电优值的影响越来越明显。当含量为15%时,材料的热电优值是 SiC 烧结体的30倍。