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Si含量对反应烧结SiC陶瓷热电性能的影响

魏薇  曹小明  张劲松  
【摘要】:采用可控溶渗反应烧结法制备了致密 SiC 陶瓷,研究了不同 Si 含量对反应烧结 SiC 陶瓷热电性能的影响。经研究发现,反应烧结 SiC 陶瓷中 Si 的存在使 SiC 陶瓷的电阻率急剧下降,大大改善了 SiC 陶瓷的电学性能;同时 Si 也改变了 SiC 陶瓷塞贝克系数随温度的变化趋势,即没有添加 Si 元素的 SiC 陶瓷的塞贝克系数随温度的升高逐渐增大,而添加 Si 元素的 SiC 陶瓷的塞贝克系数随温度的升高逐渐减小:总的来看, 随着 Si 含量的增加,SiC 陶瓷的塞贝克系数和电导率不断增大,因此 SiC 陶瓷的功率因子不断提高,而且随着温度的升高,Si 含量对 SiC 陶瓷热电优值的影响越来越明显。当含量为15%时,材料的热电优值是 SiC 烧结体的30倍。

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