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Ga掺杂Zn_4Sb_3体系热电性能的研究

刘峰  秦晓英  
【摘要】:首先在5~310K 温度范围内,研究了 Ga 替代对化合物(Zn_(1-x)Ga_x)_4Sb_3的低温热电性能的影响。研究发现相对于无掺杂的 Zn_4Sb_3,(Zn_(1-x)Ga_x)_4Sb_3(x≠0)的低温热导率明显减小,而且随着 Ga 替代量的增加而不断减小。另外,轻掺杂条件下(x≤0.15),掺杂后的电阻率和热电势都减小。而随后对β-Zn_4Sb_3和β- (Zn_(0.85)Ga_(0.15))_4Sb_3的高温(300~670K)热电性能进行了测量,结果充分表明合适量的 Ga 替代 Zn(比如 x= 0.15),可以优化β-Zn_4Sb_3的高温热电性能。

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