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磁控反应溅射制备的Ta_2O_5薄膜的光学与介电性能

张幸福  魏爱香  刘毅  
【摘要】:采用直流磁控反应溅射技术,在不同的 Ar/O_2 比条件下制备了系列 Ta_2O_5薄膜样品,采用紫外.可见光透射光谱和椭偏光谱测试分析技术,研究了 Ta_2O_5薄膜在可见光范围内的透射率、折射率和消光系数;同时还采用 HP 4192A 阻抗分析仪测试分析了样品在500Hz~ 13MHz 频段的介电谱,结果表明在300~700nm 的可见光波长范围内,氧化钽薄膜的消光系数 k→0,折射率 n >2.0,透射率大约80%.500Hz 下的低频介电常数ε的典型值为20.1.损耗角正切 tgδ为19.9。

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