收藏本站
收藏 | 论文排版

总剂量辐射下的SOI晶体管中的陷阱电荷分布

王茹  张正选  俞文杰  贺威  田浩  陈明  
【摘要】:通过对载流子扩散机理的研究,由数学公式的推导,得到陷阱电荷分布随电场变化的函数关系.将由 medici 模拟得到的3种偏置下 SOI 的 NMOS 管埋氧层中的电场分布的数据代入方程式,得到总剂量辐射下的 SOI 晶体管中的陷阱电荷的分布.得到的数据较好地解释了实验结果.

知网文化
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前20条
1 王宁娟;刘忠立;李宁;于芳;李国花;;不同偏置下全耗尽SOI NMOSFET总剂量抗辐射的研究[J];半导体学报;2007年05期
2 张苗,林成鲁,陈立凡,王鲁闽,K.Gutjahr,U.M.Gosele;硅中注H~+的退火行为及智能剥离SOI新材料的微结构分析[J];固体电子学研究与进展;1998年02期
3 张国艳,黄如,张兴,王阳元;SOI数模混合集成电路的串扰特性分析[J];半导体学报;2002年02期
4 栾兰,王雪峰,张斌;SOI电路的研制[J];微处理机;2003年04期
5 张鹏飞,钱佩信;定域无缺陷SOI的制备[J];微细加工技术;1992年03期
6 张文肃;武筠;;体硅和SOI材料及器件辐射加固技术评述[J];半导体杂志;1997年01期
7 刘彦松,多新中,黄继颇,张苗,王连卫,林成鲁;SOI高温器件及其在汽车电子等领域中的应用[J];物理;1999年07期
8 刘新宇,孙海峰,海潮和,和致经,吴德馨;一种新型的SOI灵敏放大器[J];电子学报;2001年06期
9 郝跃,朱建纲,郭林,张正幡;SOI MOSFET转移特性中的深度饱和现象研究[J];物理学报;2001年01期
10 王小龙,余金中;光波导开关的最新进展[J];物理;2003年03期
11 连军,海潮和,韩郑生,赵洪辰,杨荣;N+多晶硅栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件与电路的研究[J];电子器件;2004年01期
12 王敬,屠海令,刘安生,周旗钢,朱悟新,张椿;SOI键合材料的TEM研究[J];稀有金属;1998年04期
13 魏红振,余金中,张小峰,刘忠立,史伟,房昌水;SOI集成光电子器件[J];半导体光电;2001年01期
14 李映雪,张兴,黄如,王阳元,罗晏;SIMOX材料顶层硅膜中残余氧的行为[J];半导体学报;2001年08期
15 卜伟海,黄如,徐文华,张兴;SOI器件中瞬态浮体效应的模拟与分析[J];半导体学报;2001年09期
16 云振新;RFSOICMOS技术及其应用[J];电子元件与材料;2003年07期
17 黄如,王阳元;深亚微米SOI栅控混合管(GCHT)的准二维电流解析模型[J];半导体学报;2000年05期
18 樊瑞新;SOI结构制备工艺进展[J];材料科学与工程;2000年02期
19 温梦全;SOI/SIMOX-CMOS器件的研究[J];北京航空航天大学学报;2001年01期
20 严清峰,余金中;SOI光波导开关研究进展[J];激光与红外;2001年04期
中国重要会议论文全文数据库 前10条
1 王茹;张正选;俞文杰;贺威;田浩;陈明;;总剂量辐射下的SOI晶体管中的陷阱电荷分布[A];第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(2)[C];2007年
2 周乐文;窦文华;安蔚钊;;SOI技术及其抗辐照能力研究[A];第十五届计算机工程与工艺年会暨第一届微处理器技术论坛论文集(A辑)[C];2011年
3 恩云飞;何玉娟;罗宏伟;;总剂量电离辐照试验新技术[A];2010第十五届可靠性学术年会论文集[C];2010年
4 张兴;王阳元;;低压低功耗集成电路:SOI技术的新机遇[A];信息科学与微电子技术:中国科协第三届青年学术年会论文集[C];1998年
5 冷月华;贾连希;胡挺;杨林;杨华军;;亚微米SOI光波导的模式及偏振特性分析[A];2009年先进光学技术及其应用研讨会论文集(上册)[C];2009年
6 陈盘训;谢泽元;;双极晶体管总剂量辐射失效概率[A];中国工程物理研究院科技年报(2001)[C];2001年
7 张鹏;章晓文;李斌;陈平;;SDB/SOI双极型晶体管可靠性评价[A];第十一届全国可靠性物理学术讨论会论文集[C];2005年
8 陈盘训;谢泽元;;γ总剂量辐射对运算放大器性能的影响[A];中国工程物理研究院科技年报(2002)[C];2002年
9 高博;余学峰;任迪远;刘刚;王义元;孙静;文林;李茂顺;崔江维;;国产VDMOS器件总剂量辐射损伤及退火效应研究[A];中国核科学技术进展报告——中国核学会2009年学术年会论文集(第一卷·第7册)[C];2009年
10 郭宇锋;王志功;;阶梯厚度漂移区SOI横向高压器件[A];第十届中国科协年会论文集(四)[C];2008年
中国博士学位论文全文数据库 前10条
1 肖志强;SOI器件电离总剂量辐射特性研究[D];电子科技大学;2011年
2 吴丽娟;电荷型高压SOI器件模型与新结构[D];电子科技大学;2011年
3 胡盛东;SOI横向高压器件纵向耐压理论与新结构[D];电子科技大学;2010年
4 谢海情;SOI基透明电极压控横向PIN光电二极管的研究[D];湖南大学;2011年
5 贾巍;高精度SOI基光子晶体功能器件制备与特性研究[D];南京理工大学;2012年
6 金波;SOI基锗硅弛豫研究及绝缘体上应变硅材料制备[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2005年
7 郭宇锋;SOI横向高压器件耐压模型和新器件结构研究[D];电子科技大学;2005年
8 孙佳胤;GaN外延生长中的SOI柔性衬底技术研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2007年
9 贾晓玲;SOI-MMI光波导器件与光开关研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2005年
10 李劲;新型应变SGOI/SOI MOSFET的结构设计及性能分析[D];西安电子科技大学;2011年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 李信;应变SOI材料物理与工艺技术研究[D];西安电子科技大学;2010年
2 袁泉;基于自隔离技术的可集成SOI高压(>600V)器件研究[D];电子科技大学;2009年
3 王琳;机械致单轴应变SOI研究[D];西安电子科技大学;2012年
4 王元刚;新型功率SOI横向器件研究[D];电子科技大学;2012年
5 闫斌;复合埋层SOI高压器件的数值仿真与实验研究[D];电子科技大学;2009年
6 滕浙乾;SOI/CMOS器件建模研究与模型参数提取[D];国防科学技术大学;2010年
7 齐瑞生;SOI LIGBT的优化设计方法研究[D];杭州电子科技大学;2011年
8 杨帆;400V薄层SOI高压器件研究[D];电子科技大学;2010年
9 李佳;存储器辐照总剂量试验方法研究[D];西安电子科技大学;2011年
10 黄玮;纳米SOI MOSFET器件性能仿真和新器件结构研究[D];江南大学;2011年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978