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半导体非线性光学材料的第一性原理研究

姜晓庶  Walter R.L.Lambrecht  
【摘要】:通过第一性原理研究Ⅱ-Ⅳ-V_2族 CKP 半导体中的 CdSiAs_2,计算了其双折射性,量化了双折射性同应力的线性关系,它的负双折射性使之能够通过应力、温度调节以及同 CdGeAs_2混合来设计非临界位相匹配材料.计算显示,少量的参杂 Ge(<5%),能够实现非临界位相匹配Ⅰ类二次谐波产生(SHG)在 CO_2激光谱线范围可调谐,它可能具有很高的有效 x~((2)).

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