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THz量子级联激光器的材料生长和器件制作

韩英军  黎华  谭智勇  曹俊诚  
【摘要】:采用分子束外延的方法,生长了 GaAs/Al_(0.17) Ga_(0.85)As 基共振声子辅助跃迁的太赫兹量子级联激光器结构,并按照单面金属波导的工艺进行了器件制作。材料的结构由高分辨 X 射线衍射来确定。在温度为9~ 150K 的范围内,测量了器件的Ⅰ-Ⅴ曲线。

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