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铌酸锂晶片CMP中工艺参数对去除率的影响

王胜利  武晓玲  刘玉岭  贾小欣  
【摘要】:采用二氧化硅胶体碱性抛光液对铌酸锂晶片进行化学机械抛光研究,讨论了抛光压力、转速、流速等工艺参数对材料去除率的影响。结果表明,铌酸锂晶片化学机械抛光去除率与抛光工艺参数有着密切的关系。不降低表面质量,在抛光压力为140kPa,抛光液流速为180ml/min,抛光转速为60r/min时,可以得到较高的铌酸锂晶片抛光去除率和表面抛光效果。

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