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PECVD法制备微晶硅薄膜的研究

蔡宏琨  郝延明  张德贤  林列  
【摘要】:对等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)制备的微晶硅(μc·Si)薄膜的电导率、光学带隙和晶化率随温度和功率的变化规律进行了研究.从拉曼谱中可以明显看出,随着功率的增大,N型材料的非晶肩逐渐减小,材料的晶化率增大.随着温度的升高,P型材料的暗电导率和激活能都是先升高后降低.

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