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OVC薄膜材料及其对CIGS薄膜太阳电池异质结的改进

薛玉明  孙云  朴英美  李长健  
【摘要】:通过实验制备得到OVC薄膜材料,并对其进行掺Cd处理,以提高其载流子浓度。然后根据CuIn0.7Ga0.3Se2、OVC、CdS、ZnO这4种半导体的相关材料参数和实验数据,画出了它们形成异质结前后的能带图,并计算得到它们的能带边失调值△Ec、△Ev。由此得出,在CIGS薄膜太阳电池中形成OVC后,大大改善了其异质结的结特性,从而也可以改善电池的性能。

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