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Ag(TCNQ)纳米线的制备和场发射性能研究

叶春暖  莫晓亮  徐华华  韩成赫  曹冠英  孙大林  陈国荣  
【摘要】:采用气-液-固反应方法在硅片上制备了取向金属有机配合物Ag(TCNQ)纳米线.样品的XRD特征峰与Ag(TCNQ)目对应;SEM形貌显示纳米线几乎垂直基片生长,直径在50-300nm,长度在2-50μm.初步对其场发射性能进行了研究,所得Ag(TCNQ)纳米线的最低场发射开启电压约为1.5V-μm-1,最大发射电流密度约为0.03mAcm-2,此时对应的电场约为2.5Vμm-1.由测量所得1-V曲线得到的Fowler-Nordheim(F-N)曲线近似为一条直线,说明样品具有场发射性能.重复实验表明,Ag(TCNQ)纳米线的场发射具有一定的稳定性.结合纳米线制备工艺,初步分析了场发射性能的影响因素.

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