收藏本站
收藏 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

原子尺度控制全氧化物p-n结的制备和特性研究

吕惠宾  戴守愚  陈正豪  周岳亮  金奎娟  程波林  何萌  郭海中  刘立峰  黄延红  杨国桢  
【摘要】:采用替位掺杂的方法,使用激光分子束外延技术,成功地制备出钛酸锶,钛酸钡、钛酸锶/钛酸钡、YBCO/钛酸锶和钛酸锶/锰酸镧等全氧化物p-n结。X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电镜(HRTEM)等测量分析结果均表明,p-n结构的表面与界面均达到原子尺度的光滑,p-n结的I-V曲线显示了很好的整流特性。首次观测到全氧化物p-n结电流和电压的磁调制特性与正的巨磁电阻效应,在290 K和255 K条件下,外磁场变化5398A/m时,磁电阻的最大灵敏度分别达到85Ω/79.6A·m-1和246Ω/79.6A·m-1;在一个多层p-n结构上,磁电阻的变化率△R/R0达到517%。

知网文化
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前20条
1 刘江;魏汝省;徐佳;徐现刚;王璞;;基于6H-SiC衬底外延石墨烯的被动锁模掺镱光纤激光器[J];中国激光;2011年08期
2 刘红超;;LED产业技术及研究进展[J];上海第二工业大学学报;2011年02期
3 廖秀英;周勋;杨晓波;赵红;赵文伯;;通过倒易空间扫描表征AlGaN外延材料[J];半导体光电;2011年03期
4 李水清;汪莱;韩彦军;罗毅;邓和清;丘建生;张洁;;氮化镓基发光二极管结构中粗化p型氮化镓层的新型生长方法[J];物理学报;2011年09期
5 张磊;叶辉;皇甫幼睿;刘旭;;氧化硅缓冲层对于退火形成锗量子点的作用研究[J];物理学报;2011年07期
6 贠利君;魏同波;刘乃鑫;闫建昌;王军喜;李晋闽;;InAlN薄膜MOCVD外延生长研究[J];半导体技术;2011年08期
7 张东国;李忠辉;孙永强;董逊;李亮;彭大青;倪金玉;章咏梅;;利用低温插入层改善GaN外延层晶体质量研究[J];固体电子学研究与进展;2011年04期
8 王帅;刘文怡;梁庭;王勇;刘俊;熊继军;;Si(111)异质外延表面光滑H-GaN的制备和表征[J];传感器与微系统;2011年07期
9 韩军;邢艳辉;邓军;朱延旭;徐晨;沈光地;;MOCVD生长温度控制p型InGaN形貌和电学特性提高LED光功率[J];功能材料;2011年07期
10 高慧莹;;国内LED衬底材料的应用现状及发展趋势[J];电子工业专用设备;2011年07期
11 熊飞;潘红星;张辉;杨宇;;溅射沉积自诱导混晶界面与Ge量子点的生长研究[J];物理学报;2011年08期
12 尹旭琴;李仰军;卫丽芬;武毅;刘建勋;;蓝宝石镀膜方法研究[J];光学仪器;2009年06期
13 ;[J];;年期
14 ;[J];;年期
15 ;[J];;年期
16 ;[J];;年期
17 ;[J];;年期
18 ;[J];;年期
19 ;[J];;年期
20 ;[J];;年期
中国重要会议论文全文数据库 前10条
1 吕惠宾;戴守愚;陈正豪;周岳亮;金奎娟;程波林;何萌;郭海中;刘立峰;黄延红;杨国桢;;原子尺度控制全氧化物p-n结的制备和特性研究[A];第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅰ[C];2004年
2 李树玮;小池一步;矢野满明;;ZnO和ZnMgO材料的分子束外延生长及其光学性质[A];中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集[C];2003年
3 张洁;王笃祥;杜伟华;曾双龙;;GaN基LED产业化中的外延相关技术问题[A];第十二届全国LED产业研讨与学术会议论文集[C];2010年
4 颜世申;梅良模;陈延学;任妙娟;张云鹏;;ZnCoO磁性半导体的研究[A];第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议论文集[C];2004年
5 王岩国;;聚焦离子束在外延生长氮化镓薄膜失配位错研究中的应用[A];第十一次全国电子显微学会议论文集[C];2000年
6 季雅静;秦会斌;叶丽云;;NiFe层厚度对薄膜磁阻性能的影响[A];浙江省电子学会2006年学术年会论文集[C];2006年
7 边继明;李效民;张灿云;赵俊亮;;ZnO基薄膜电子传输特性研究[A];科技、工程与经济社会协调发展——中国科协第五届青年学术年会论文集[C];2004年
8 胡桂青;孔翔;王乙潜;万里;段晓峰;陆沅;刘祥林;;(111)Si上外延生长六方GaN的TEM观察[A];第十二届全国电子显微学会议论文集[C];2002年
9 戴嘉维;岳建岭;李戈扬;;TiN/TiB_2纳米多层膜的共格外延生长[A];2005年全国电子显微学会议论文集[C];2005年
10 曾中明;韩秀峰;王勇;张泽;;双势垒磁性隧道结的磁电阻效应及其在自旋晶体管器件中的应用[A];2004年中国材料研讨会论文摘要集[C];2004年
中国博士学位论文全文数据库 前10条
1 任俊峰;有机半导体中电流自旋极化性质研究[D];山东大学;2006年
2 罗文博;介电氧化物薄膜在GaN半导体上的外延生长与性能研究[D];电子科技大学;2010年
3 肖少庆;金属氧化物半导体结构中侧向光伏与磁电阻的共存研究[D];上海交通大学;2008年
4 杨晓东;L-MBE法生长ZnO薄膜的p型掺杂及分析表征[D];中国科学院研究生院(西安光学精密机械研究所);2006年
5 晏长岭;垂直腔面发射激光器的研制及其特性分析[D];中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;2000年
6 陈峰;外延Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3单晶薄膜的制备与性能研究[D];中国科学技术大学;2008年
7 孙清清;先进CMOS高k栅介质的实验与理论研究[D];复旦大学;2009年
8 彭冬生;基于预处理衬底GaN外延生长及器件研究[D];中国科学院研究生院(西安光学精密机械研究所);2007年
9 倪佳苗;P型导电SnO_2基薄膜及其同质/异质结的研究[D];武汉理工大学;2010年
10 熊敏;锑化物半导体超晶格外延生长与表面结构研究[D];哈尔滨工业大学;2010年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 宋禹忻;动力学蒙特卡罗法仿真量子点生长过程的统计分析与参数优化[D];北京邮电大学;2007年
2 陈金文;SiC衬底外延生长GaN界面结构的第一性原理研究[D];哈尔滨工业大学;2010年
3 郭鑫;SiC外延生长加热系统热场分析[D];西安电子科技大学;2011年
4 赵广才;图形衬底上GaN材料的外延生长研究[D];西安电子科技大学;2010年
5 张乐陶;Fe_3O_4基异质结的微观结构、磁性和输运性质[D];天津大学;2010年
6 潘强;磁隧道结及Co/Cu/Co三明治巨磁电阻效应的研究[D];中国科学院上海冶金研究所;2000年
7 雷月清;验证聚合物发光电化学池中p-n结的电流电压特性[D];北京交通大学;2008年
8 杨晓东;紫外光电材料ZnO的外延生长及特性研究[D];西北大学;2002年
9 王富国;ECR_PAMOCVD外延生长C_GaN过程中等离子体微参数对衬底预处理的影响[D];大连理工大学;2000年
10 钦华林;GaN基LED外延生长工艺的研究[D];西安电子科技大学;2011年
中国重要报纸全文数据库 前10条
1 朱清梅 远翔鸟;屡烧显示器保险丝的几例典型故障分析[N];中国电脑教育报;2005年
2 彭万华;高亮度LED初具产业基础 仍需政策助力[N];中国电子报;2008年
3 ;全球MOCVD设备热销背后的解读[N];电子资讯时报;2006年
4 梁红兵;LED:强化产业链建设 细分市场大有作为[N];中国电子报;2008年
5 任爱青;我国LED上游产业亟待突围[N];中国电子报;2008年
6 山东 孙义清;联想LXB-F17069彩显电源维修两例[N];电子报;2005年
7 记者 何晓蓉;沪企投资新津 打造节能环保LED[N];成都日报;2009年
8 ;索尼S机心系列彩电开关电源原理分析与检修(上)[N];电子报;2005年
9 记者 赵秋丽特约记者 李志臣 通讯员 栾维东;山东大学大直径SiC单晶研究获突破[N];光明日报;2007年
10 樊哲高;清芯光电:掌控高亮度LED[N];中国电子报;2008年
中国知网广告投放
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978