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Ni_(81)Fe_(19)各向异性磁电阻(AMR)

王志明  倪刚  徐庆宇  桑海  都有为  
【摘要】:我们研究了厚度、基片温度、真空退火温度对磁控射频溅射制备的Ni_(81)Fe_(19)薄膜各向异性磁电阻(AMR)的影响。当膜厚小于100nm时,膜厚对AMR的影响较大;当膜厚大于100nm时,膜厚对AMR的影响逐渐减小;当膜厚大于200nm时,AMR的值趋于恒定。基片温度、真空退火温度对AMR值的提高至关重要,适当地选择这两个温度能使薄膜内的晶粒变大,晶界面积变小,晶界对传导电子的散射减小,从而电阻率下降,AMR效应提高.

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