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氮化碳薄膜的冷阴极电子场发射特性研究

路险峰  李金钗  郭怀喜  张志宏  叶明生  
【摘要】:采用低压等离子体增强化学气相沉积法(LP-PECVD)制备氮化碳薄膜;低能离子注入机对制备的薄膜进行N_2~+注入掺杂.X射线光电子能谱(XPS)分析了N_2~+注入前后氮化碳薄膜中N、C的含量及其结合能的变化情况;10~(-6)Pa超高真空下对注入前后的氮化碳薄膜进行了电子场发射测试,发射起始场强≤2.5V/μm,稳定发射电流≥1mA/cm~2;结果表明,经N_2~+注入后的氮化碳薄膜的电子场发射特性得到明显增强.

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