氮化碳薄膜的冷阴极电子场发射特性研究
【摘要】:采用低压等离子体增强化学气相沉积法(LP-PECVD)制备氮化碳薄膜;低能离子注入机对制备的薄膜进行N_2~+注入掺杂.X射线光电子能谱(XPS)分析了N_2~+注入前后氮化碳薄膜中N、C的含量及其结合能的变化情况;10~(-6)Pa超高真空下对注入前后的氮化碳薄膜进行了电子场发射测试,发射起始场强≤2.5V/μm,稳定发射电流≥1mA/cm~2;结果表明,经N_2~+注入后的氮化碳薄膜的电子场发射特性得到明显增强.
|
|
|
|
1 |
李助军;陈泽宇;陈选民;朱繁康;;氮化激光淬火复合处理对18Cr2Ni4WA钢耐磨性能的影响[J];热加工工艺;2011年14期 |
2 |
叶金文;刘颖;郑华雄;陈先富;廖立;;Sm_2Fe_(17)N_x的结构精修分析[J];稀有金属材料与工程;2011年06期 |
3 |
;大尺寸蓝宝石单晶[J];军民两用技术与产品;2011年06期 |
4 |
崔丽君;王玉良;;混气喷涂技术在工程机械中的应用探讨[J];机械工程师;2011年08期 |
5 |
;[J];;年期 |
6 |
;[J];;年期 |
7 |
;[J];;年期 |
8 |
;[J];;年期 |
9 |
;[J];;年期 |
10 |
;[J];;年期 |
11 |
;[J];;年期 |
12 |
;[J];;年期 |
13 |
;[J];;年期 |
14 |
;[J];;年期 |
15 |
;[J];;年期 |
16 |
;[J];;年期 |
17 |
;[J];;年期 |
18 |
;[J];;年期 |
19 |
;[J];;年期 |
20 |
;[J];;年期 |
|