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掺锰PLZT铁电薄膜的制备及其电学性质研究

侯识华  宋世庚  郑应智  马远新  郑毓峰  
【摘要】:采用Sol-Gel法,在Pt/TiO_2/Si基片上制备了不同掺Mn量的PLZT铁电薄膜。分析了薄膜的晶相结构,研究了Mn掺杂对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响。结果表明,各薄膜均具有钙钛矿型结构,且各薄膜均呈(100)择优取向。PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能随掺锰量的增加而改变。随着掺锰量的增加,PLZT铁电薄膜的矫顽电场强度值和剩余极化强度值均增大。掺锰量为1.5mol%的薄膜具有最佳的介电性能和铁电性能。

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