用高温、原位STM比较研究Si_2H_6在Si(111)和St(113)表面的化学气相沉积

【摘要】：本文介绍了运用高温、原位扫描电子显微镜(STM)对采用Si_2H_6作气派引起的Si在Si(111)和Si(113)表面上沉积生长过程进行了比较研究。STM图象动态显示了Si(111)和Si(113)上Si膜层的微观生长过程。结果表明,当Si_2H_6压强一定时,两种表面在温度大于500℃时均有较高的生长速率。但二者表面膜层的生长方式截然不同。对于Si(111)7×7表面,生长是从形成一个个表面吸附岛核开始的,然后各吸附岛以三角形的形状横向生长,STM图象显示,各三角形吸附岛上又有新的吸附岛,即岛上有岛,随着生长的进行,这些吸附岛不断扩大,最后连成一片。而在Si(113)3×2表面上,初始生长有两种模式,它们在各自的区域内完全互相独立地进行。本文对上述实验结果进行了详细的描述和讨论。

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