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磁控溅射制备的Si/SiO_2超晶格及其光电性能

李燕  罗佳慧  黄书万  
【摘要】:本文采用直流磁控溅射方法在(Ⅲ)取向的Si基片和玻璃基片上生长Si/SiO_2 超晶格薄膜,一个超晶格的周期为4~6nm 左右,同时还分析了周期数、基片等因素对Si/SiO_2 超晶格在400~740nm范围内的透射率、吸收系数、电致发光、伏安特性等性能的影响,并对Si/SiO_2 超晶格进行了X 射线衍射结构分析。

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