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ZnO薄膜的IBA-PLD法外延生长研究

杨少延  柴春林  刘志凯  廖梅勇  姚振钰  秦复光  王占国  
【摘要】:本文采用一种全新的脉冲激光淀积(PLD)技术—离子束辅助的脉冲激光淀积(IBA-PLD)法,利用波长为532nm 的Nd:YAG 脉冲激光,进行了Si 衬底上的ZnO 薄膜生长研究。采用低能O~+离子束辅助淀积在190℃生长得到了具有高度C-轴单一取向的ZnO薄膜。结晶质量最好样品的ZnO(002)峰的X射线摇摆曲线(XRC)的半高宽(FWHM)仅为2.2°,俄歇能谱(AES)深度分析表明,该膜中氧成分充足,沿膜纵向Zn与O的成分分布均匀,接近于正化学比。

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