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多孔硅光伏特性的研究

李旦振  陈顺玉  付贤智  
【摘要】:采用电化学阳极氧化技术在P 型单晶硅片上形成一层多孔硅(PS)层,应用表面光电压谱(SPS)、荧光光谱和吸收光谱等研究了不同的制备工艺条件对多孔硅表面光伏特性的影响。研究结果发现,多孔硅的光电压相对于单晶硅有很大程度的提高,与电化学腐蚀的电流密度、腐蚀时间等工艺条件有关,存在最佳的腐蚀电流密度、腐蚀时间。

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