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以GaAs为原材料低温制备GaN薄膜

凌浩  应质峰  吴嘉达  孙剑  施维  杜元成  李富铭  
【摘要】:以GaAs 为靶材料,用等离子体辅助反应脉冲激光沉积方法制备GaN 薄膜。我们在ECR 氮等离子体环境中用脉冲激光烧蚀多晶GaAs 靶进行GaN 薄膜的低温合成沉积。成分分析显示,得到的薄膜为富氮的GaN,各组份在膜层中分布均匀,未探测到As。化学结构分析表明,膜层中的Ga和N结合成键,在薄膜的红外透射谱上呈现强烈的Ga-N特征吸收峰。薄膜在可见波段呈现较高的透明性,其能隙宽度约为3.4 eV。

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