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c-BN薄膜在WC上的制备

王波  赵永年  何志  朱品文  邹广田  
【摘要】:运用射频磁控溅射方法研究了不同衬底上立方氮化硼薄膜的生长。红外谱分析表明在硬质合金衬底上沉积立方氮化硼薄膜时,负偏压对立方相含量的影响与单晶硅衬底上的相似,只是最佳偏压值不同。对于硬质合金衬底,其最佳负偏压是在-150V附近。

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