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磁控反应溅射Ge_xC_(1-x)薄膜的光学性能

刘正堂  宋建全  朱景芝  耿东生  郑修鳞  
【摘要】:利用射频磁控反应溅射法,以Ar、CH_4为原料气体,在较宽的工艺参数范围内制备出了Ge_xC_(1-x)薄膜。用可见光光度计及傅立叶红外光谱对薄膜的光学性能进行了研究。结果表明,随CH_4流量的增加薄膜的折射率下降,且对可见光变得逐渐透明。Ge_xC_(1-x)薄膜的折射率可根据工艺参数的改变在1.8~4.2之间变化,这对于多层红外增透膜的设计和实现具有重要的意义。增透膜沉积实验表明,Ge_xC_(1-x)膜系对ZnS衬底具有良好的增透效果。

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