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C_(60)增强金刚石薄膜成核研究

杨国伟  刘大军  袁放成  何金田  张兵临  
【摘要】:采用MWPCVD方法,以C_(60)薄层为中间层,在光滑单晶Si(100)表面,首次在无衬底负偏压预处理条件下,成功生长出多晶金刚石薄膜,通过SEM观察到金刚石晶粒呈菜花状,生长面为金刚石(100)晶面。

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