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SOI上分子束外延GaAs的结构与光学性质研究

朱文化  施左宇  杨云洁  林成鲁  
【摘要】:我们采用离子束沟道背散射技术(RBS)、光荧光(PL)技术研究了新结构GaAs/ SOI的结构和光学性质。SOI(Silicon—on—Insulator)衬底是由高剂量的氧离子注入形成的。研究表明用分子束外延方法可在SOI衬底上获得高质量的GaAs外延薄膜。

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