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N—二十二烷基吡啶嗡—TCNQ导电LB膜的研究

袁春伟  陈春云  卢伟  吴海明  
【摘要】:正1前言在氮气氛中,用Lanmuir-Blodgett(LB)技术制得的N-二十二烷基吡啶嗡-TCNQ (NDP-TCNQ)超薄膜的横向电导率在10~(-7)~10~(-8)S/cm,此绝缘膜与碘蒸气作用形成混合价态的TCNQ柱列使得电导率升至约10~(-1)S/cm,我们在空气中用NDP—TCNQ制取LB膜,得到了新的结果。

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