化学汽相淀积(CVD)法合成金刚石薄膜的ESR研究
【摘要】：正1前言和自然金刚石一样,用化学汽相淀积法合成的金刚石簿膜有许多优越的物理性质,如宽带隙,高硬度、高热导、高电子和空穴迁移率等;特别是掺杂后可成为高性能半导体材料。但合成过程中膜内产生的大量缺陷限制了它作为半导体材料的应用。本文,我用利用电子顺磁共振(ESR)技术对不同方法合成的金刚石膜的未配对键缺陷进行了研究,并研究了不同温度退火对它的影响。
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