掺杂的La_2 NiO_4中价态与电学性质的关系

【摘要】：正1前言由于La_2NiO_4独特的结构引起了众多研究者的广泛关注。Sr的掺杂可将半导体的La_2NiO_4转变为金属性。最近报导La_2NiO_4可能据有高温超导电性。因此,研究La_2NiO_4中掺杂引起的价态不平衡导致的半导体一金属转变,对于搞清La_2NiO_4的导电机理,开发La_2NiO_4在功能材料上的应用都是非常重要的。

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中国期刊全文数据库

前20条

1	李华;李爱珍;张永刚;齐鸣;;气态源分子束外延Al_xGa_(1-x)As(x=0~1)材料中Si的掺杂行为研究(英文)[J];红外与毫米波学报;2007年01期
2	赵希磊;王科范;张伟风;顾玉宗;;Sn量子点的研究进展[J];材料导报;2010年S1期
3	钱祥忠;厚度对a-Si∶H薄膜性能的影响[J];真空电子技术;2002年01期
4	董少光;范广涵;;GaN半导体材料的电学性质与光学性质分析[J];太阳能学报;2008年06期
5	张猛,林理彬,邹睿,张国庆,李永贵;自由电子激光对GaAs/AlGaAs异质结构材料电学性质的影响[J];中国激光;2003年07期
6	王朋乔;谢泉;罗倩;;掺杂β-FeSi_2的研究进展[J];材料导报;2011年01期
7	孙恒慧,盛篪,陈巧珍,冯冠华,袁瑞舜;n型硅中铂和钯的电学性质[J];半导体学报;1981年02期
8	;光电探测技术及器件[J];中国光学与应用光学文摘;1995年02期
9	史颖波;;中日半导体业跨世纪合作“909”鸣锣[J];每周电脑报;1997年17期
10	陈贤;;杜纪彭走马上任担当摩托罗拉半导体部总经理[J];计算机与网络;1998年08期
11	;世界半导体会议(WSC)声明(摘要)[J];电子产品世界;1999年09期
12	袁斌;;合作投资收缩战线——全球第六大半导体供应商的公司战略[J];每周电脑报;2002年34期
13	刘洪;飞兆半导体的中国情结[J];今日电子;2003年11期
14	;2003年IC销售额将达1716亿美元[J];集成电路应用;2003年02期
15	郑冬冬;;移动通信基站半导体需求呈下降趋势[J];半导体信息;2003年02期
16	;江苏省半导体行业协会2005年工作计划[J];半导体行业;2004年04期
17	;飞思卡尔半导体(中国)有限公司苏州分公司[J];半导体行业;2004年S1期
18	Marji Baumann;;解读集成电路的无铅标签[J];今日电子;2005年12期
19	任苙萍;;电源管理欣欣向荣相应元器件扶摇直上美国国家半导体、德州仪器和飞兆半导体朝高价值、高集成功率产品方向发展[J];电子与电脑;2006年06期
20	;安森美半导体与多家系统厂成立电源联合实验室[J];电子与电脑;2006年06期

中国重要会议论文全文数据库

前10条

1	孟建;任玉芳;潘亚岚;;掺杂的La_2 NiO_4中价态与电学性质的关系[A];首届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];1992年
2	毕朝霞;张荣;李卫平;殷江;沈波;周玉刚;陈鹏;陈志忠;顾书林;施毅;刘治国;郑有炓;;Pb(Zr_(0.53)Ti(0.47))O_3/GaN结构的制备和电学性质研究[A];2000年材料科学与工程新进展（下）——2000年中国材料研讨会论文集[C];2000年
3	孟健;车平;冯静;王静平;吕敏峰;刘见芬;武志坚;曹学强;;晶体结构对化合物电学性质的影响[A];第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅲ[C];2004年
4	罗畅安;薛良金;;半导体制冷器件用于固体源频漂[A];1989年全国微波会议论文集（上）[C];1989年
5	杨景安;;上海先进半导体公司6”0．8μ集成电路生产线微环境装置设计与使用小结[A];上海市制冷学会一九九七年学术年会论文集[C];1997年
6	徐彭寿;陆尔东;张发培;徐世红;张新夷;赵特季;方容川;金晓峰;;国家同步辐射实验室在半导体表面界面方面的研究进展[A];中国真空学会科技进步奖（1994-2000）得奖人员论文集[C];2000年
7	;“半导体纳米系统物理”研讨会日程[A];Physics of Semiconductor Nano-systems--Proceedings of CCAST (World Laboratory) Workshop[C];2002年
8	季刚;陈延学;刘宜华;曹强;宋红强;张云鹏;颜世申;梅良模;;利用复合磁性层实现自旋极化电子注入半导体的磁电特性研究[A];第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议论文集[C];2004年
9	祝敏;陆耀东;高玉萍;满春阳;王如宝;;大功率高速半导体激光峰值功率测试技术研究[A];2005年中国光学学会全息与光学信息处理专业委员会年会暨建会20周年纪念会[C];2005年
10	曹俊诚;韩英军;;太赫兹半导体量子级联激光器研究[A];第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集[C];2007年

中国博士学位论文全文数据库

前10条

1	叶春暖;金属有机配合物M-TCNQ微纳米结构的制备及电学性能研究[D];复旦大学;2005年
2	蒋然;Hf基高k材料的物性表征[D];兰州大学;2007年
3	郭汝海;InAs/GaAs自组装量子点的应变分布和电子结构的理论研究[D];哈尔滨工业大学;2007年
4	梁建;新型结构半导体材料的制备与表征[D];太原理工大学;2005年
5	喻力华;新型功能材料的电子结构和磁特性的第一性原理研究[D];华中科技大学;2005年
6	杨义发;脉冲激光沉积ZnO薄膜及其性质研究[D];华中科技大学;2008年
7	陈圣;分子束外延生长Er_2O_3高k栅介质材料的物理特性研究及硅基磁性半导体材料的制备[D];复旦大学;2007年
8	周幼华;脉冲激光沉积法制备β-FeSi_2半导体薄膜的研究[D];华中科技大学;2007年
9	贠江妮;钙钛矿型氧化物半导化掺杂与表面吸附光电特性的理论研究[D];西北大学;2010年
10	孙佳胤;GaN外延生长中的SOI柔性衬底技术研究[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2007年

中国硕士学位论文全文数据库

前10条

1	胡其欣;GaN肖特基器件电学性质的模拟研究[D];山东大学;2008年
2	吕英;ICP刻蚀SiC机制及表面损伤的研究[D];厦门大学;2008年
3	宋振国;MOCVD法制备掺杂SnO_2薄膜及特性研究[D];山东大学;2009年
4	赵国旭;SiC高温电学特性研究[D];西安电子科技大学;2008年
5	赵波;ZnO/PS复合体系的光学和电学性质[D];曲阜师范大学;2006年
6	严明;硼氮—碳纳米管的电子结构和电学性质研究[D];福州大学;2005年
7	陈媚媚;一维二氧化锡纳米材料的合成、表征及其物性研究[D];北京交通大学;2007年
8	王君雄;氢化纳米硅薄膜力学及电学性质的研究[D];江苏大学;2009年
9	马春雷;高K介质材料氧化镁的制备及其性质研究[D];山东大学;2010年
10	刘绍军;采用Fokker-Planck方程研究半导体的非平衡相变[D];北京师范大学;1988年

中国重要报纸全文数据库

前10条

1	宋德松　仲晔;为IT终端巨头提供尖端电子产品[N];天津日报;2007年
2	本报记者刘桄序;JEDEC召开新一轮半导体标准化会议[N];电子报;2008年
3	蔡绮芝 DigiTimes;三洋电机拟标售半导体事业[N];电子资讯时报;2007年
4	;全球半导体设备市场营收下滑测试设备独好[N];电子报;2007年
5	赵艳秋;意法半导体：业务发展融入中国市场[N];中国电子报;2008年
6	记者曹明;文晔收购所罗门部分业全球半导体分销商并购愈演愈烈[N];电子资讯时报;2008年
7	孙燕飚;展讯管理层人才流失 “上市后阵痛”考验半导体业神经[N];第一财经日报;2008年
8	王瑞兴;设计、构架、用户：半导体厂商成功关键[N];中国电子报;2006年
9	记者　安勇龙;品牌带动效益半导体巨头中国市场收获忙[N];中国电子报;2007年
10	惠正一;飞利浦半导体业务将名花有主[N];第一财经日报;2006年

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