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半导体力敏元件用2″SOS材料研制

孙家龙  柴玉琦  韩有路  牛志强  陈(岂页)  步云英  张玲  
【摘要】:正1前言采用SOS材料(蓝宝石衬底上外延硅膜)制作半导体力敏元件可避免P—N结隔离所产生的缺点,可拓宽使用温度范围和增强抗恶劣环境影响的性能。如原苏联热工仪表所使用SOS材料制作的耐高温压力传感器可在-50°~450℃正常工作。我所从70年代研究SOS材料,现已制成2″SOS外延片其性能参数为:电阻率值6×10~(-2)Ωcm,迁移率值104cm~2/v.s,杂质浓度8×10~(17)/cm~3,硅膜厚度2~3μm用于制作力敏元件效果良好。

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