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掺碲GaSb单晶材料电学性质的研究

余辉  焦景华  叶式中  
【摘要】:正1前言GaSb单晶是光电器件的重要衬底材料,制做器件所需的载流子浓度一般在1×10~(17)、~3×10~(18)cm~(-3)的范围内。N型GaSb是以Te作掺杂剂,由于Te的引入会使GaSb材料的电学特性发生变化。我们进行了变温霍尔测量,得出迁移率与温度、霍尔系数与温度以及载流子浓度与温度的关系,从曲线的特点进行分析得出结论。

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